新思三星攜手推出3nm GAA的全套設計方法和流程

新思科技（Synopsys）近日發(fā)布 3nm 全環(huán)柵（GAA）AMS 設計參考流程，為開發(fā)者提供一整套從前端到后端的設計方法，以使用新思科技定制設計平臺來設計模擬和混合信號電路。該方法已經過優(yōu)化，可為使用三星 3nm GAA 工藝節(jié)點技術的 5G、HPC、AI 和 IoT 等先進應用的開發(fā)者，提供最高的設計效率。

先進節(jié)點的復雜性驅使開發(fā)者尋找縮短設計周期的新方法。通過緊密合作，新思科技和三星提供了經優(yōu)化的流程，可克服設計復雜性并為 3nm GAA 設計提供最佳的生產率。該流程的主要功能包括設計中的電遷移分析，開發(fā)者可在版圖完成之前通過該流程提供的準確的電遷移分析來縮短設計完成時間。AMS 設計參考流程還包括新思科技 IC Validator 物理驗證解決方案中的實時設計規(guī)則檢查（DRC），版圖開發(fā)者可在工作時基于 DRC 直接從版圖畫布中快速檢查是否違反設計規(guī)則。

AMS 參考流程為 3nm GAA 流程技術的設計提供了一種行之有效的方法。該方法包括一整套文件化的流程和設計實例，并已得到三星的驗證。AMS 參考流程涵蓋的主題包括設計輸入、電路仿真、蒙特卡洛分析、噪聲分析、RF 分析、老化和 EM/IR 分析、寄生參數(shù)仿真、定制版圖和簽核。

“借助新思科技 AMS 參考流程，開發(fā)者可以將 3nm GAA 技術快速部署在要求嚴苛的應用，如人工智能、5G 網(wǎng)絡、汽車、物聯(lián)網(wǎng)和先進數(shù)據(jù)中心。新思科技支持的先進方法學可以幫助我們內部的 IP 開發(fā)者和客戶更有效地創(chuàng)建模擬和混合信號設計。”

——Sangyun Kim

電子代工廠設計技術團隊副總裁

三星

新思科技定制設計平臺以 Custom Compiler™設計和版圖環(huán)境為基礎，包括 HSPICE®電路仿真器、FineSim®電路仿真器、CustomSim™ FastSPICE 電路仿真器、Custom WaveView™波形顯示器、StarRC™寄生參數(shù)提取以及 IC Validator 物理驗證。該平臺具有原生集成的 StarRC 提取功能，可提供寄生參數(shù)對電路行為、性能影響的早期反饋，并具有開創(chuàng)性的視覺輔助版圖自動化功能，從而簡化先進節(jié)點版圖的創(chuàng)建。

“在開發(fā) 3nm GAA AMS 設計參考流程中，三星和新思科技共同致力于以實現(xiàn)強大的技術來縮短設計周期。例如，新思科技參考流程中包括了一種用于早期電遷移分析的全新解決方案，這可大大縮短了設計的完成時間。”

——Aveek Sarkar

工程副總裁

新思科技