國產內存芯片正加速發(fā)展，何時才能徹底打破壟斷？

與非網 10 月 11 日訊，目前在全球的消費電子市場上，存儲器是名副其實的電子行業(yè)“原材料”。如果再將存儲器細分，又可分為 DRAM、NAND Flash 與 Nor Flash 三種。

投資存儲芯片領域 1500 億美元，我國幾乎表明了自給自足的決心。目前國內已有三家企業(yè)已經進入這一領域，合肥長鑫和長江存儲分別在 DRAM 和 NAND FLASH 技術工藝的擴展和發(fā)展。福建晉華曾經是第三家，但由于美國商務部對其 DRAM 設備、器件的禁售，導致其暫陷入困境。

紫光集團是中國發(fā)展存儲芯片的領頭羊，成立長江存儲，研發(fā)、生存 NAND 閃存，還有做 DDR 內存的紫光國微等子公司。

根據長江存儲和合肥長鑫的產品發(fā)展路線圖。到 2020 年，長江存儲直接跳躍到 128 層 3D NAND 的目標，并消除從 64 層到 128 層的過程，且繞開主要 NAND 制造商生產的 96 層閃存芯片。到 2021 年，分別在 NAND FLASH 和 DRAM 的產品研發(fā)進度上取得突破，后者將完成 17nm 的研發(fā)。

存儲器領域經過幾十年的發(fā)展，由全球六家公司控制，分別為三星，東芝，美光，西部數據，SK 海力士和英特爾。DRAM 市場更加集中，只有三家公司生產幾乎所有的 DRAM 芯片。它們分別是三星，SK 海力士和美光。

反觀國內，長江存儲著力于 NAND FLASH 的生產，合肥長鑫致力于 DRAM 的生產。

除武漢和合肥外，我國另外三個城市也正在建設存儲器工廠。同時，晉江也可能會開始 DRAM 生產，但是目前由于法律問題，參與其中的公司福建晉華目前處于困境。

隨著國內半導體產業(yè)投入的加大，國內存儲器行業(yè)也將迎來加速發(fā)展，雖然在短期內難以撼動三星、SK 海士力以及鎂光三足鼎立的局面，但未來憑借國內龐大的內需市場、優(yōu)秀的開發(fā)能力，以及具國際水準的產能，必將在全球半導體產業(yè)擁有一席之地。

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