芯耀
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近期，國內半導體設備領域捷報頻傳，多家企業(yè)在12英寸設備的研發(fā)和量產方面取得進展，涉及企業(yè)包括皓宇電子、大族半導體、晶馳機電、山西天成、首芯半導體、北方華創(chuàng)、中微公司等。
皓宇電子：12英寸多腔多工位CVD設備實現(xiàn)量產
4月中旬，皓宇電子宣布，其自主研發(fā)的12英寸多腔多工位CVD設備與8英寸多腔多工位CVD設備成功實現(xiàn)量產。這不僅標志著公司完成了從架構設計、樣機驗證到系統(tǒng)交付的技術閉環(huán)，更實現(xiàn)了國內在該設備架構類別的首次工程化部署，填補了國產細分領域空白。
皓宇電子自2020年起專注于“多腔多Station”CVD設備的自主研發(fā)，該架構已成為全球主流廠商布局的下一代CVD技術核心方向。不同于市場上仍普遍采用的“twinchamber”架構，皓宇電子選擇了技術門檻更高的“多工藝腔-多Station”模式，以提升沉積路徑一致性和厚膜工藝效率，在工藝穩(wěn)定性、設備兼容性、產線產能提升與成本控制等關鍵維度，形成顯著競爭優(yōu)勢。
此外，皓宇電子自主構建了完整的國產化CVD設備體系，涵蓋從結構設計到控制平臺的全鏈路創(chuàng)新，包括工藝腔優(yōu)化、氣路系統(tǒng)自主設計、溫控系統(tǒng)增強、搬運平臺優(yōu)化、射頻功率控制及智能調度算法等，確保復雜工藝精度與一致性。
大族半導體：8/12英寸SiC襯底激光剝離實現(xiàn)3大新突破
4月25日，大族半導體宣布在8/12英寸SiC襯底激光剝離技術上實現(xiàn)3大新突破，推動大尺寸碳化硅襯底加工邁向“低成本、高良率”時代。
大族半導體的三大突破性技術包括：突破低電阻率晶錠激光加工瓶頸，實現(xiàn)導電型襯底電阻率需求全覆蓋；砂輪損耗降40%+，采用LaserMesh?界面技術精準控制剝離面形貌（粗糙度≤2μm，TTV<10μm），結合界面軟化工藝，大幅降低后續(xù)減薄成本；全球率先實現(xiàn)12英寸導電/半絕緣晶錠激光剝離量產，為光電子、射頻器件降本奠基。
在今年1月末，大族半導體宣布其在激光微加工領域取得重大突破，推出全新一代全自動晶圓激光開槽設備——GV-N3242系列。該設備在開槽質量、開槽精度、潔凈度管控以及材料兼容性方面大幅提升，已通過客戶嚴苛的技術驗證，具備量產能力。
據(jù)悉，大族數(shù)控（大族半導體母公司）2025年第一季度營業(yè)總收入達9.6億元，同比增長27.89%；凈利潤為1.17億元，較去年同期激增83.60%。
晶馳機電：電阻法12寸碳化硅晶體生長設備開發(fā)成功
近期，晶馳機電宣布，其成功開發(fā)出電阻法12寸碳化硅晶體生長設備。該設備采用電阻式物理氣相傳輸（PVT）方法，通過創(chuàng)新的結構和熱場設計，結合先進的過程控制理論和自動化控制方法，實現(xiàn)了均勻的徑向溫度和寬范圍精準可調的軸向溫度梯度。晶錠形態(tài)完美，表面微凸度精準控制在2.4mm以內，成功突破同一爐臺多尺寸生長技術壁壘，實現(xiàn)了同一臺設備既可穩(wěn)定量產八寸碳化硅單晶，又完全具備生長十二寸碳化硅單晶的能力。
晶馳機電成立于2021年7月，總部與研發(fā)中心位于杭州市浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心。該公司專注于第三代和第四代半導體材料裝備的研發(fā)、生產，產品包括碳化硅晶體生長設備、外延設備等。
據(jù)悉，今年1月，晶馳機電開發(fā)的8英寸碳化硅電阻式長晶爐通過客戶驗證，并正式開啟了小批量交付；另外，其自主研發(fā)的“全自動碳化硅腐蝕清洗設備”成功交付海外客戶。
此外值得注意的是，去年11月末，位于河北正定高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)的晶馳機電半導體材料裝備研發(fā)生產項目正式投產，首臺MPCVD設備實現(xiàn)交付。該項目總投資2億元，占地約50.26畝，總建筑面積約20000平方米，項目分兩期建設，一期建設計劃時間為2025年—2026年。項目以金剛石設備與碳化硅外延設備為產品核心，專注于第三代和第四代半導體材料裝備的研發(fā)、生產。
山西天成：12英寸碳化硅長晶爐計劃Q3投放市場
近期，山西天成科技副總經理透露，該公司自主研發(fā)的12英寸碳化硅長晶爐已進入爐體組裝和工藝調試階段，計劃于2025年第三季度投放市場。
公開資料顯示，山西天成于2021年8月成立，由第三代半導體材料領域高層次人才發(fā)起，團隊常年深耕碳化硅單晶襯底制備科研領域，技術方面具有核心競爭優(yōu)勢。該公司的技術研發(fā)和生產涉及碳化硅粉料合成、裝備設計等制造全流程，形成了碳化硅襯底材料生產的優(yōu)勢閉環(huán)。
2023年11月，山西天成通過PVT長晶法，開發(fā)出了“TSD”密度為零和BPD密度低至32個/cm2的6英寸導電型4H-SiC單晶襯底制備。2024年，該公司還實現(xiàn)了8寸SiC單晶技術研發(fā)突破，開發(fā)出了直徑為202mm的8寸SiC單晶，各項參數(shù)指標良好。
此外，山西天成位于山西太原中北開發(fā)區(qū)的項目一期已經建成投產，建設完成后可年產5萬片碳化硅襯底。2024年，公司開始建設項目二期，包括廠房擴建、設備擴充以及構建多條切磨拋加工線。
據(jù)悉，2024年山西天成的組合營收達到2100萬元，其中80%的收入來自碳化硅單晶襯底生長裝備的銷售。2025年第一季度，公司已經收到了500萬元的訂單，并正全力沖刺首季訂單交付目標。
江蘇天晶智能：12英寸碳化硅超硬材料超高速多線切割機發(fā)布
4月8日，江蘇天晶智能裝備有限公司（以下簡稱“天晶智能”）在12英寸碳化硅（SiC）切割設備領域實現(xiàn)重大技術突破，正式推出TJ320型超高速多線切割機。
這款設備集成了自主研發(fā)的超高速伺服張力控制系統(tǒng)和金剛石線循環(huán)切割技術，線運行速度高達3000米/分鐘，切割效率較傳統(tǒng)設備提升300%，切割過程中張力控制精度大幅提高，極大地提升了加工穩(wěn)定性。TJ320機型支持4-12英寸晶圓兼容，單臺年產能達20萬片，可滿足500輛新能源汽車的碳化硅電驅需求。
天晶智能總經理張耀在發(fā)布會上透露，通過與中科院、江蘇師范大學物電學院等機構合作驗證，設備良率已提升至98%以上，且完成1000小時連續(xù)切割穩(wěn)定性測試，技術可靠性獲得權威認可。
在設備成本及價格方面，天晶TJ320通過模塊化設計和核心部件國產化，將成本壓縮至行業(yè)平均水平的1/10至1/20。該設備已獲歐洲、東南亞客戶訂單，預計2026年全球市場份額將突破30%。目前，天晶智能淮安生產基地年產能已達880臺，二期工程將于2026年投產。
首芯半導體：12英寸PECVD Dubhe系列設備交付客戶
近期，首芯半導體宣布，其自主設計研發(fā)的首臺12寸Dubhe系列等離子體增強型設備（PECVD Amorphous Carbon無定形碳硬掩膜先進工藝）順利出機并交付至國內特色工藝客戶。
該設備可對應客戶90/55/28nm及以下制程的無定形碳薄膜工藝，匹配國外主流廠商同類型設備的工藝規(guī)格，具有更高的生產效率、更寬的工藝調節(jié)窗口等優(yōu)點。設備配備自主研發(fā)的射頻控制系統(tǒng)、大氣及真空傳送平臺，搭配了自主開發(fā)的軟件控制系統(tǒng)，可以匹配客戶的EAP和MES系統(tǒng)整合，協(xié)助客戶自動化高效生產。
據(jù)悉，今年1月末，首芯半導體獲得一項名為“一種薄膜沉積設備”的專利（公開號CN119265543A），該專利通過優(yōu)化通氣面板設計，提升了薄膜沉積腔體的性能。2月末，該公司還獲得了一項名為“載入腔室、載入腔室控制方法及晶圓處理系統(tǒng)”的專利（授權公告號CN117524932B），涉及高效的載入腔設計，有助于提升晶圓處理過程中的溫度和壓力控制。
北方華創(chuàng)：首款12英寸電鍍設備Ausip T830發(fā)布
3月末，北方華創(chuàng)發(fā)布其首款12英寸電鍍設備（ECP）——Ausip T830。該設備專為硅通孔（TSV）銅填充工藝優(yōu)化，主要面向2.5D/3D先進封裝市場。此次發(fā)布標志著北方華創(chuàng)成功進軍電鍍設備領域，并進一步完善了其在先進封裝領域的全流程設備布局，涵蓋刻蝕、去膠、PVD、CVD、電鍍、PIQ及清洗等關鍵工藝環(huán)節(jié)。
北方華創(chuàng)的Ausip T830設備突破三十多項關鍵技術，展現(xiàn)了深厚技術實力。該設備采用高真空密封和電化學沉積技術，實時優(yōu)化預潤濕及電鍍參數(shù)，實現(xiàn)高深寬比TSV填充。通過優(yōu)化電場、流場和藥液濃度，使TSV內部及邊緣的銅沉積均勻，減少缺陷，提高芯片良率和可靠性。
值得注意的是，北方華創(chuàng)2025年第一季度實現(xiàn)營收82.06億元，同比增長37.9%；歸母凈利潤15.81億元，同比增長38.8%；扣非凈利潤15.70億元，同比增長44.75%。公司電容耦合等離子體刻蝕設備（CCP）等多款新產品實現(xiàn)技術突破，工藝覆蓋范圍擴大，推動了業(yè)績的高速增長。
中微公司：首推12英寸晶圓邊緣刻蝕設備Primo Halona
3月27日，中微公司正式發(fā)布了其自主研發(fā)的12英寸晶圓邊緣刻蝕設備Primo Halona?。
Primo Halona?采用中微公司特色的雙反應臺設計，可靈活配置最多三個雙反應臺的反應腔，且每個反應腔均能同時加工兩片晶圓。另外該設備腔體內部采用抗腐蝕材料設計，能夠抵御鹵素氣體的侵蝕，同時配備Quadra-arm機械臂，確保了晶圓處理的靈活性和準確性。
另外，在4月22日，中微公司宣布其ICP雙反應臺刻蝕機Primo Twin-Star?在刻蝕精度上取得重大突破，反應臺之間的刻蝕精度已達到0.2埃（亞埃級），在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蝕工藝上均得到驗證。
目前，中微公司正計劃投資建設新的生產及研發(fā)基地，以進一步增強競爭實力，預計到2027年，新增的研發(fā)中心將專注于化學氣相沉積等關鍵設備的開發(fā)。
孚烜科技：總部投產首批12英寸先進工藝SDS高端裝備
3月下旬，孚烜科技宣布，其首批12英寸先進工藝 SDS 高端裝備正式投產發(fā)貨。據(jù)悉，此次交付的SDS高端裝備為孚烜科技完全自主研發(fā)，專為先進制程設計，具備高自動化、高穩(wěn)定性、高精度、質量保證、低維護成本等優(yōu)勢，專為半導體、光伏等領域定制解決方案。
公開資料顯示，孚烜科技成立于2016年，是一家專業(yè)從事半導體、濕法清洗設備（Wet Bench）等研發(fā)、生產、銷售及服務為一體的科創(chuàng)技術企業(yè)。據(jù)悉，孚烜科技在2024年11月成功開發(fā)出掩模版清洗機FX-Mask Clean 01，并被安徽省工業(yè)和信息化廳評定為國內先進，進一步豐富了公司的產品矩陣。
據(jù)悉，孚烜科技位于合肥經開區(qū)集成電路產業(yè)園的新總部基地預計于2025年5月初步試運行并實現(xiàn)部分投產。新基地的建成將顯著提升公司的生產能力，全部投產后，產能將在現(xiàn)有基礎上增加2倍以上，為公司未來3-5年的發(fā)展提供強有力的支撐。
