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湖南公布新一批重點(diǎn)項(xiàng)目名單,22個(gè)半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)上榜

03/18 11:05
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近日,湖南省工信廳發(fā)布了《2025年湖南電子信息制造業(yè)重點(diǎn)項(xiàng)目名單》,涵蓋先進(jìn)計(jì)算、音視頻、新一代半導(dǎo)體、人工智能等重點(diǎn)領(lǐng)域。50個(gè)重點(diǎn)項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后,預(yù)計(jì)可新增收入530億元。

其中,涉及的22個(gè)半導(dǎo)體上榜項(xiàng)目包括:藍(lán)思科技智能裝備研發(fā)及生產(chǎn)基地項(xiàng)目,中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化(株洲)建設(shè)項(xiàng)目、韶光芯材總部及半導(dǎo)體光掩模材料國(guó)產(chǎn)化項(xiàng)目,艾迪奧電子千億只關(guān)鍵電子元器件研發(fā)生產(chǎn)基地(一期)項(xiàng)目、順為功率半導(dǎo)體第三代功率半導(dǎo)體SIC/IGBT封測(cè)項(xiàng)目、宜章凱美特特種氣體項(xiàng)目等。

湖南省工信廳明確,將持續(xù)強(qiáng)化項(xiàng)目要素保障,落實(shí)稅收優(yōu)惠、用地支持等政策,推動(dòng)50個(gè)重點(diǎn)項(xiàng)目年內(nèi)竣工率超40%。

隨著第三代半導(dǎo)體規(guī)?;a(chǎn)、高端封裝技術(shù)突破及AI場(chǎng)景應(yīng)用拓展,湖南正從“制造優(yōu)勢(shì)”向“創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)”跨越,目標(biāo)在2025年形成具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群,為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控注入強(qiáng)勁動(dòng)能。

湖南技術(shù)攻堅(jiān),核心裝備突破“卡脖子”

據(jù)悉,湖南正以技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)。株洲中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體建成國(guó)內(nèi)首條6英寸IGBT芯片生產(chǎn)線(xiàn),其第五代IGBT技術(shù)實(shí)現(xiàn)模塊功率密度提升30%,成功應(yīng)用于高鐵牽引系統(tǒng)。長(zhǎng)沙進(jìn)芯電子研發(fā)的雙核DSP芯片打破國(guó)外壟斷,性能參數(shù)達(dá)到國(guó)際同類(lèi)產(chǎn)品水平,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制新能源汽車(chē)領(lǐng)域。

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,湖南三安的8英寸碳化硅襯底良率突破95%,配套的車(chē)規(guī)級(jí)SiCMOSFET模塊實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),成本較進(jìn)口產(chǎn)品降低40%,加速?lài)?guó)產(chǎn)碳化硅器件在10萬(wàn)元級(jí)新能源車(chē)型中的滲透。

在制造裝備領(lǐng)域,湖南楚微半導(dǎo)體聯(lián)合中電四十八所攻克8英寸集成電路成套裝備技術(shù),實(shí)現(xiàn)立式爐管、硅外延設(shè)備等12類(lèi)關(guān)鍵裝備國(guó)產(chǎn)化替代,整線(xiàn)裝備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)95%,良率穩(wěn)定在98%以上。

長(zhǎng)沙安牧泉先進(jìn)封裝基地全面投產(chǎn)后,可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)2000萬(wàn)顆高算力芯片封裝能力,填補(bǔ)湖南高端芯片封裝空白,其FC-SiP封裝技術(shù)成功應(yīng)用于龍芯CPU、景嘉微GPU等國(guó)產(chǎn)核心芯片。

湖南目前已構(gòu)建起"長(zhǎng)株潭核心區(qū)+特色園區(qū)"的產(chǎn)業(yè)格局。株洲功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園已集聚中車(chē)時(shí)代、立方新能源等50余家企業(yè),形成"芯片設(shè)計(jì)-晶圓制造-封裝測(cè)試-系統(tǒng)應(yīng)用"完整鏈條,2024年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值突破400億元。長(zhǎng)沙湘江新區(qū)依托安牧泉、進(jìn)芯電子等龍頭企業(yè),打造高端芯片制造與先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)帶,聯(lián)合國(guó)防科大、湖南大學(xué)共建第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心,突破碳化硅外延生長(zhǎng)、柵氧制備等關(guān)鍵工藝。

在材料領(lǐng)域,韶光芯材建成國(guó)內(nèi)首條半導(dǎo)體光掩模材料產(chǎn)線(xiàn),年產(chǎn)能達(dá)50萬(wàn)片,實(shí)現(xiàn)G5代掩模基板國(guó)產(chǎn)化。湘芯半導(dǎo)體在婁底建設(shè)的碳化硅刻蝕環(huán)生產(chǎn)基地,年產(chǎn)能3萬(wàn)件,打破美日企業(yè)在該領(lǐng)域的壟斷。益陽(yáng)科力遠(yuǎn)新能源產(chǎn)業(yè)園聚焦鋰電池材料與儲(chǔ)能芯片,與比亞迪合作開(kāi)發(fā)車(chē)載能源管理芯片,形成新能源汽車(chē)核心部件產(chǎn)業(yè)閉環(huán)。

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