芯耀
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近期，全球不同地區(qū)的三座功率半導體工廠傳來新動態(tài)，再次成為了行業(yè)焦點：英飛凌泰國新建后端工廠動工；印度Indichip與日本YMTL合作投資16億美元建首座碳化硅晶圓廠；日本富士電機6英寸碳化硅功率半導體量產(chǎn)，這一系列動作預示著全球功率半導體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。
針對功率半導體建設動態(tài)，業(yè)界認為，功率半導體工廠的建設能夠吸引相關的高科技企業(yè)在當?shù)鼐奂纬赏暾陌雽w產(chǎn)業(yè)鏈，推動當?shù)貜膫鹘y(tǒng)產(chǎn)業(yè)向高科技產(chǎn)業(yè)升級。此外，工廠的建設會促進當?shù)卦牧虾土悴考痰陌l(fā)展。對于功率半導體制造，需要大量的硅片、化學試劑、特種氣體等原材料。當?shù)毓虝驗榭拷袌龆@得發(fā)展機遇，將會加大研發(fā)和生產(chǎn)投入，提高產(chǎn)品質(zhì)量和供應能力。
一、全球聚焦功率半導體市場如火如荼
1、泰國：英飛凌新半導體后端生產(chǎn)基地啟動
2025年1月14日，英飛凌在泰國曼谷南部的Samut Prakan動工建造新的半導體后端生產(chǎn)基地，以優(yōu)化和進一步多元化其制造業(yè)務。
這座工廠第一棟建筑計劃于2026年初投入運營，之后將根據(jù)市場需求靈活管理進一步的產(chǎn)能爬坡。新工廠的所有支出都已包含在英飛凌公司2025年的資本支出預測中。據(jù)了解，該項目還得到了泰國投資委員會（BOI）的支持。英飛凌稱，隨著全球脫碳和氣候保護工作推動對功率模塊的需求（例如在工業(yè)應用和可再生能源領域），高度自動化的工廠將在英飛凌制造格局多元化方面發(fā)揮關鍵作用。
泰國投資委員會秘書長Narit Therdsteerasukdi表示，泰國投資委員會歡迎并支持英飛凌科技在泰國北欖府投資新建功率半導體后端制造廠的決定?！?024年12月，國家半導體和先進電子政策委員會成立，加上英飛凌的投資，將顯著改善該地區(qū)的半導體行業(yè)和生態(tài)系統(tǒng)，使泰國成為全球半導體行業(yè)的關鍵參與者。我們致力于支持泰國電子行業(yè)的發(fā)展，以及成功實施英飛凌在該地區(qū)的制造基地擴建計劃?！?/p>
英飛凌表示，將支持在位于東南亞中心的泰國發(fā)展強大的半導體生態(tài)系統(tǒng)，涵蓋供應鏈中的關鍵零部件和材料。通過加強與當?shù)仄髽I(yè)和機構的合作伙伴關系，英飛凌還將加強半導體生態(tài)系統(tǒng)和熟練勞動力的發(fā)展；以及通過與大學和當?shù)仄髽I(yè)家的密切合作，英飛凌幫助發(fā)展具有先進半導體專業(yè)知識的高技能工程師人才庫，已經(jīng)制定了一項全面的培訓和教育計劃，以提高AI、數(shù)字化和自動化方面的能力。第一批泰國工程師在英飛凌其他工廠成功完成了這一培訓計劃。
此外，英飛凌致力于在2030年實現(xiàn)碳中和，因此脫碳工作是新工廠設計和建設中不可或缺的一部分。在整個價值鏈中持續(xù)減少自身的碳足跡是公司的戰(zhàn)略重點。新工廠將配備太陽能模塊，自行生產(chǎn)可再生能源。據(jù)悉，英飛凌將與當?shù)啬茉垂堂芮泻献?，確?？煽壳揖G色的電力供應。
2、印度：投資16億美元建首座碳化硅晶圓廠
近日，總部位于印度阿馬拉瓦蒂的功率半導體初創(chuàng)公司Indichip Semiconductors Ltd.及其日本合資伙伴Yitoa Micro Technology(YMTL)與印度安得拉邦政府簽署了一項協(xié)議，將投資1400億盧比（約合16億美元）在當?shù)亟ㄔ煲蛔嫦蚬β拾雽w的碳化硅晶圓廠。
據(jù)悉，該碳化硅晶圓廠初始產(chǎn)能約為每月10,000片晶圓。在兩到三年內(nèi)，這一產(chǎn)能預計將增長到每月50,000片晶圓。Indichip的初步工作將集中在6英寸SiC晶圓上，并計劃在未來過渡到8英寸晶圓。
資料顯示，Indichip成立于2020年，并通過與Yitoa的技術轉(zhuǎn)讓協(xié)議，獲得了碳化硅相關技術。此次雙方合作將在印度建立專門用于生產(chǎn)碳化硅器件的先進制造設施。
安得拉邦表示，它將在Kurnool的Orvakal工業(yè)區(qū)提供土地，以及必要的基礎設施和生態(tài)系統(tǒng)來支持該項目。
從市場前景來看，隨著全球?qū)?a class="article-link" target="_blank" href="/tag/%E6%96%B0%E8%83%BD%E6%BA%90%E6%B1%BD%E8%BD%A6/">新能源汽車、可再生能源發(fā)電等領域的投資不斷增加，碳化硅功率半導體的市場需求呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢。Indichip與YMTL合作建設的碳化硅晶圓廠，有望在這片廣闊的市場中占據(jù)一席之地。
3、日本：6英寸碳化硅功率半導體啟動量產(chǎn)
富士電機在碳化硅（SiC）功率半導體領域有一系列新動態(tài)。據(jù)日媒報道，富士電機已于2024年12月在日本青森縣的半導體制造基地啟動6英寸碳化硅（SiC）功率半導體的量產(chǎn)。
根據(jù)報道，富士電機原計劃在2024年夏季正式量產(chǎn)6英寸碳化硅功率半導體，但由于全球電動汽車（EV）銷量出現(xiàn)下滑導致需求減少，富士電機量產(chǎn)進程有所推遲。此次啟動6英寸碳化硅功率半導體量產(chǎn)的基地是富士電機旗下的子公司富士電機津輕半導體，位于青森縣五所川原市。
早在2023年12月，富士電機就宣布將在2024-2026年內(nèi)向半導體領域投資2000億日元（約93億人民幣），重點用于純電動汽車（EV）電力控制等相關功率半導體器件，還計劃在日本境內(nèi)工廠新建碳化硅功率半導體生產(chǎn)線以提高產(chǎn)能。這一舉措也體現(xiàn)出其在該領域持續(xù)深耕和擴大優(yōu)勢的決心。
原本富士電機計劃在2024年夏季正式量產(chǎn)6英寸碳化硅功率半導體，然而受全球電動汽車（EV）銷量下滑、需求減少的影響，量產(chǎn)進程有所推遲。2024年12月，富士電機終于在日本青森縣的半導體制造基地——旗下子公司富士電機津輕半導體（位于青森縣五所川原市）啟動了6英寸碳化硅功率半導體的量產(chǎn)，并且計劃在2026財年將產(chǎn)能提高至2023財年的9倍。
另外，富士電機的松本工廠（位于日本長野縣松本市）目前不僅生產(chǎn)傳統(tǒng)的硅基功率半導體，還為汽車、電力系統(tǒng)及鐵路等領域供應碳化硅功率半導體。其新的碳化硅產(chǎn)線也設立在此，預計2027年之后投入運營，將生產(chǎn)8英寸晶圓的碳化硅功率半導體，進一步提升其在碳化硅功率半導體領域的產(chǎn)能和技術水平。
值得一提的是，2024年11月29日，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省宣布，將為日本電裝與富士電機共同投資的碳化硅半導體項目提供補貼。該項目投資額達2116億日元（約98億元人民幣），補助金額最高達705億日元（約33億元人民幣）。
在此次合作中，電裝負責生產(chǎn)碳化硅襯底，富士電機負責制造碳化硅功率器件并擴建所需設施。項目預計產(chǎn)能為31萬片/年，計劃從2027年5月開始供貨。這一合作也將借助雙方優(yōu)勢，進一步提升富士電機在碳化硅功率半導體領域的實力。
二、碳化硅產(chǎn)業(yè)，蒸蒸日上
值得一提的是上述工廠建設聚焦碳化硅領域，根據(jù)信息，碳化硅是一種高性能寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、高熱導率、高抗輻射能力等特點，其禁帶寬度是硅的近3倍，熱導率是硅的3倍以上，這使得碳化硅芯片在高溫、高壓、高頻、抗輻射及大功率等條件下能穩(wěn)定工作，可滿足制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的需求。
技術上看，碳化硅材料生產(chǎn)的技術門檻較高，尤其是在晶體生長和器件制造上，對設備和技術要求極為嚴格。從器件端來看，目前，Wolfspeed已實現(xiàn)8英寸碳化硅器件商用，此外得益于在6英寸碳化硅器件方面的積淀，意法半導體、英飛凌、安森美等大廠預計將在2025年完成8英寸碳化硅器件晶圓廠投產(chǎn)。
從材料端上看，目前，國際上6英寸SiC襯底產(chǎn)品已實現(xiàn)商用化，主流幾大廠家均推出8英寸襯底樣品，6英寸SiC外延產(chǎn)品也已商用化，并且已經(jīng)研制出8英寸產(chǎn)品，可滿足中低壓、高壓、超高壓功率器件制備要求。不過據(jù)業(yè)界稱，目前6英寸碳化硅襯底仍然是襯底市場的絕對主力，正在持續(xù)大規(guī)模出貨，而部分廠商的8英寸試產(chǎn)或小批量量產(chǎn)與6英寸的大規(guī)模應用在良率、成本等方面有著本質(zhì)的差別，8英寸的起量仍然有較大阻力。
TrendForce集邦咨詢研究數(shù)據(jù)表明，目前8英寸的產(chǎn)品市占率不到2%，并預測2027年市場份額將成長到20%左右。
從碳化硅下游應用市場占比情況來看，新能源汽車應用占比最大，達到38%；其次是消費類電源，占比為22%；光伏逆變器占據(jù)著15%的份額。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究指出，盡管純電動汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經(jīng)開始影響到SiC供應鏈，但作為未來電力電子技術的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預估2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達到91.7億美金（約648億元人民幣）。
