芯耀
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近日包括士蘭集宏、安意法半導體兩條8英寸碳化硅產線迎來最新進展。其中值得注意的是，2025年被業(yè)界稱作 “8英寸碳化硅元年”，這一年是全球8英寸碳化硅芯片廠試產與量產爬坡的攻堅之年。當下，終端應用降本需求愈發(fā)強勁，8英寸碳化硅的價值也隨之水漲船高。
1、士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項目預計今年一季度封頂，四季度通線
近日據廈門日報消息，士蘭微旗下士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線項目有了最新進展。目前該項目一期正在進行上部結構施工，預計將在2025年一季度封頂，四季度末初步通線，2026年一季度進行試生產。
據悉，該項目是繼士蘭集科12英寸特色工藝芯片生產線和士蘭明鎵先進化合物半導體器件生產線后，士蘭微落地廈門的第三個重大項目，總投資120億元，總建筑面積23.45萬平方米，分兩期建設。其中，一期項目總投資70億元，達產后年產42萬片8英寸碳化硅功率器件芯片。兩期全部建成投產后，將形成年產72萬片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產能力。
目前碳化硅芯片目前已被廣泛應用在新能源汽車、光儲充、軌道交通以及智能電網等領域，其中，新能源汽車是當前碳化硅芯片最大規(guī)模的應用市場。士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項目建成后，一方面有助于提升士蘭微碳化硅芯片制造能力，另一方面可以滿足國內新能源汽車所需的碳化硅芯片需求，并有望向更多應用領域提供碳化硅芯片產品。
據相關環(huán)保網披露文件顯示，在更早的2024年11月25日，士蘭明鎵二期項目碳化硅（SiC）功率器件生產線建設項目已驗收。該項目依托現有廠房，新增一條SiC產線，主要生產SiC功率芯片產品。項目新增SiC產能規(guī)模為MOSFET芯片28.8萬片/年、SBD芯片28.8萬片/年，同時減少GaN外延的藍綠光LED芯片57.6萬片/年（其外延產能不變，多余外延片外售）、總共為芯片產能672萬片（等效2英寸）。
2、安意法半導體8英寸碳化硅項目預計2月底實現通線投產
近日據西永微電園官微消息，在西部（重慶）科學城微電園，安意法半導體8英寸碳化硅外延、芯片項目正在進行最后的設備安裝調試。
隨著設備的調試完成，預計到2025年2月底，生產線將通線并開始投片生產，并將在三季度末實現大規(guī)模的批量生產。
據悉，這條8英寸碳化硅襯底和晶圓制造線，投產后將為新能源汽車、電力網、鐵路運輸等領域提供基于碳化硅的產品。
安意法半導體8英寸碳化硅項目是三安光電和意法半導體在重慶合資建設的8英寸碳化硅芯片廠，該項目預計投資總額達32億美元（約233.6億人民幣），規(guī)劃年產8英寸碳化硅車規(guī)級MOSFET功率芯片48萬片，預計將于2028年全面達產。
隨著安意法半導體項目建成投產，有助于滿足新能源汽車市場日益增長的碳化硅功率器件產品需求，三安光電也有望借助該項目進一步加強車用碳化硅細分領域布局。
3、2025年8英寸碳化硅元年強勢而來
TrendForce集邦咨詢認為，碳化硅從6英寸升級到8英寸，襯底的加工成本有所增加，但可以提升芯片產量，8英寸能夠生產的芯片數量約為6英寸碳化硅晶圓的1.8倍，向8英寸轉型，是降低碳化硅器件成本的可行之法。同時，8英寸襯底厚度增加有助于在加工時保持幾何形狀，減少邊緣翹曲度，降低缺陷密度，從而提升良率，采用8英寸襯底能夠大幅降低單位綜合成本。
從2023年至今，在襯底和外延端，我國已有寧波合盛新材、天岳先進、科友半導體、世紀金芯、青禾晶元、天域半導體、?？瓢雽w、瀚天天成、南京百識電子等企業(yè)先后披露了8英寸碳化硅材料的最新突破。
我國碳化硅產業(yè)近年來發(fā)展迅速，市場規(guī)模不斷擴大，其中在上游碳化硅襯底和外延制備技術方面取得了顯著進展，不斷縮小與國際先進水平的差距，而在中游器件和模塊制造環(huán)節(jié)與國際大廠還存在較大差距。目前我國有披露相關投產動態(tài)的8英寸碳化硅器件產線主要是士蘭微、芯聯集成、湖南三安、方正微四條產線。士蘭微8英寸碳化硅器件產線上述已說明，其他三條產線投產時間和產能情況如下。
1、芯聯集成的8英寸碳化硅器件研發(fā)產線已于2024年通線
2024年4月20日，芯聯集成表示其8英寸碳化硅工程批已順利下線。據悉，芯聯集成的8英寸碳化硅產線計劃總投資金額為9.61億元，全面建成后將形成6/8英寸碳化硅晶圓6萬片/年的生產規(guī)模。
目前芯聯集成計劃加快推動國內首條8英寸SiC MOSFET生產線建設，爭取在2025年內提早實現量產，成為國內首家實現規(guī)模量產的8英寸SiC MOSFET企業(yè)。
2、湖南三安投產在即，將正式轉型為8英寸SiC垂直整合制造商
7月24日，湖南三安半導體舉行芯片二廠M6B設備入場儀式。據悉，湖南三安SiC項目總投資高達160億人民幣，旨在打造6英寸/8英寸兼容SiC全產業(yè)鏈垂直整合量產平臺。項目達產后，將具備年產36萬片6英寸SiC晶圓、48萬片8英寸SiC晶圓的制造能力。
此前官方表示，預計到2024年12月，M6B將實現點亮通線，8英寸SiC芯片將正式投產，湖南三安半導體正式轉型為8英寸SiC垂直整合制造商。
3、方正微電子8英寸碳化硅產線原預計2024年年底通線
據方正微電子副總裁/產品總經理彭建華介紹，方正微電子作為第三代半導體領域的IDM企業(yè)，當前有兩個fab。其中，Fab1當前已實現SiC產能9000片/月（6英寸），預計2024年底產能將達到1.4萬片/月，2025年將具備16.8萬片/年車規(guī)SiC MOS生產能力，GaN當前產能4000片/月；Fab2的8英寸SiC生產線將于2024年底通線，長遠規(guī)劃產能6萬片/月。
據悉，2021年，深圳市重大產業(yè)投資集團有限公司（下文簡稱“深重投”）成功入主方正微電子，將公司納入深圳集成電路產業(yè)“比學趕超”發(fā)展戰(zhàn)略的重要產業(yè)鏈環(huán)節(jié)，導入全球尖端科技資源，助力戰(zhàn)略性新興產業(yè)發(fā)展，致力于將方正微電子打造為國家第三代半導體制造高地。
