晶圓制造CVD工藝面試知識點小結

無錫某Fab工程師工作5年的王工分享了CVD工藝崗位的面試問題及知識點如下，僅供參考：

1、基礎知識問題

①請解釋化學氣相沉積（CVD）工藝的基本原理。

化學氣相沉積（CVD）是一種通過化學反應將氣態(tài)前驅體轉化為固態(tài)薄膜的工藝。在CVD工藝中，氣態(tài)前驅體通過氣流引入反應室，并在加熱的基板表面發(fā)生化學反應，生成固體材料沉積在基板上，同時副產物以氣態(tài)形式被排出。CVD工藝的關鍵在于控制反應條件（如溫度、壓力、氣體流量等）以獲得高質量的薄膜。

②CVD工藝與物理氣相沉積（PVD）相比有哪些優(yōu)缺點？

優(yōu)點：

CVD可以沉積復雜形狀的基板表面，具有更好的覆蓋性。

通過化學反應形成的薄膜通常具有更高的致密性和純度。

CVD工藝適用于大面積沉積和高產量生產。

缺點：

由于化學反應需要較高的溫度，某些基材可能無法承受。

CVD工藝中的副產物可能具有腐蝕性或毒性，處理不當可能影響安全性。

設備和工藝較為復雜，成本相對較高。

③什么是PECVD？與常規(guī)CVD相比，它的優(yōu)勢是什么？

等離子增強化學氣相沉積（PECVD）是一種利用等離子體來促進化學反應的CVD工藝。相比于常規(guī)CVD，PECVD的主要優(yōu)勢在于可以在較低的溫度下實現沉積。這使得PECVD特別適用于對溫度敏感的基材，同時也能獲得特定的薄膜特性，如低應力和高均勻性。

④請解釋等離子增強化學氣相沉積（PECVD）中等離子體的作用。

在PECVD中，等離子體通過電磁場的作用生成，從而激發(fā)氣態(tài)前驅體分子，使其發(fā)生化學反應，形成固態(tài)薄膜沉積在基板上。等離子體的作用是提供能量，使化學反應可以在較低的溫度下發(fā)生，同時等離子體還可以提高薄膜的沉積速率和均勻性。