硅片和SOI哪個(gè)研究方向更好？

知識(shí)星球（星球名：芯片制造與封測(cè)社區(qū)，星球號(hào)：63559049）里的學(xué)員問(wèn)：我研一將要結(jié)束，即將進(jìn)入課題組。我們課題組方向有硅片和soi兩種方向，這兩種方向該如何選擇呢？

硅片與SOI

硅片是半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)，絕大多數(shù)的芯片都是在硅片上制造的。SOI（silicon on insulator?）利用絕緣層將單晶硅薄膜與單晶硅片隔離開(kāi)來(lái)。與單晶硅片相比，SOI可以減少寄生電容，漏電流等，是一項(xiàng)比較前沿的技術(shù)。

制作方法的不同

硅片的制作方法：先用CZ法或FZ法制作出單晶硅錠，經(jīng)過(guò)切割成片，拋光等工序，得到單晶硅片SOI晶圓則是需要對(duì)已有的單晶硅片再加工，一般的方法有SIMOX，BESOI，晶體生長(zhǎng)法等。涉及到的工藝有離子注入，退火，晶圓鍵合，CVD，cmp等?？偟膩?lái)說(shuō)，硅片制造的工藝偏向于材料端，但是SOI所需要的工藝更貼近于半導(dǎo)體制造端，更先進(jìn)更前沿。

SOI技術(shù)的前景

SOI技術(shù)在微處理器，高性能RF芯片，硅光電子芯片中應(yīng)用廣泛。因此針對(duì)于個(gè)人的職業(yè)規(guī)劃，我認(rèn)為SOI方向具有極大的潛力。

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