英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET

2023/12/07 作者：與非網(wǎng)編輯

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數(shù)據(jù)中心和計算應用對電源的需求日益增長，需要提高電源的效率并設計緊湊的電源。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）順應系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務器、計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率。

OptiMOS 7 功率MOSFET

該半導體產品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標準門級和門級居中引腳排列形式均提供底部冷卻型和雙面冷卻型以供選擇；此外，該產品組合還包含穩(wěn)定可靠的超小型的PQFN 2 x 2 mm2封裝。OptiMOS? 7 15 V技術專為低輸出電壓下的DC-DC轉換定制，尤其適合服務器和計算環(huán)境。這項先進技術符合數(shù)據(jù)中心配電中出現(xiàn)的48:1 DC-DC轉換的新趨勢。

與現(xiàn)有的OptiMOS5 25 V相比，全新OptiMOS? 7 15 V通過降低擊穿電壓，將 RDS(on) 和FOM Qg減少了約30%，并將FOM QOSS減少了約50%。PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置封裝型號提供更靈活優(yōu)化的PCB設計。PQFN 2 x 2 mm2封裝的脈沖電流能力超過500 A，典型RthJC為1.6 K/W。通過最大程度地減少傳導和開關損耗并采用先進的封裝技術，實現(xiàn)了簡化散熱管理，樹立了功率密度和整體效率的新標桿。

供貨情況

OptiMOS 7 15 V產品組合現(xiàn)已開放訂購并提供兩種封裝尺寸：PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置封裝和PQFN 2 x 2 mm2封裝。

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英飛凌

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領域--高能效、移動性和安全性提供半導體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、移動性和安全性，為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應用提供半導體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產品素以高可靠性、卓越質量和創(chuàng)新性著稱，并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領域掌握尖端技術。英飛凌的業(yè)務遍及全球，在美國加州苗必達、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地擁有分支機構。