兩款MOS芯片：4606,8205

一、前言

這兩個集成芯片實際上是兩款功率 MOS 管。為了今后使用方便，下面對它們進行初步測試。SOP6 封裝的是 4606，其中集成了一個 N溝道 和一個 P 溝道的MOSFET。TSSOP8 封裝的是 8205A，其中封裝了兩個N 溝道的 MOSFET。

二、制作轉(zhuǎn)接板

設(shè)計一個轉(zhuǎn)接電路板，將標(biāo)貼封裝芯片引腳引出，這樣便于在面包板上進行測試。利用熱轉(zhuǎn)印方法，一分鐘之后得到轉(zhuǎn)接板。切割轉(zhuǎn)接板，形成幾個獨立的芯片轉(zhuǎn)接小板。下面焊接芯片和插針，進行后面的測試。

三、測試波形

把待測 MOS 芯片焊接在轉(zhuǎn)接板上，利用100mil 排針，可以在面包板上進行測試。首先測試 4606。將N溝道和P溝道MOS 組成推挽電路，在兩個柵極輸入一個1kHz，幅度為 5V 的方波，測量漏極信號。可以看到輸出反向方波信號。藍(lán)色是輸入信號，青色是輸出信號 。這是輸入信號上升過渡過程。輸出信號與輸入信號之間幾乎沒有延遲。下降沿對應(yīng)的情況也類似。

▲ 圖1.3.1 測試電路

這是前面測試電路的原理圖，兩個MOS管構(gòu)成了推挽功率輸出。

下面測試 8205A。其中集成了兩個 N 溝道的MOS管。在面包板上搭建測試電路。輸入仍然是1kHz 的方波信號。這是 MOS 管的柵極和漏極波形。它們之間呈現(xiàn)反向關(guān)系。施加三角波信號，可以看到 MOS 管導(dǎo)通電壓在 0.7V 左右。這幾乎和普通的 三極管的驅(qū)動電壓相同了。

※ 總結(jié) ※

本文對于兩款MOS 芯片進行了測試，這兩款MOS管的驅(qū)動電壓都非常低，適合用于低壓功率電路中。