羅姆即將亮相2023上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月29日～31日參加在上海新國(guó)際博覽中心舉辦的2023上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)PCIM Asia）（展位號(hào)：W2館2D03）。屆時(shí)，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體，展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車(chē)領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí)，羅姆工程師還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦的“第三代半導(dǎo)體論壇”以及“電力電子應(yīng)用技術(shù)論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。

展位效果圖

羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅為核心的功率元器件技術(shù)，以及充分發(fā)揮其性能的控制IC和模塊技術(shù)，在提供電源解決方案的同時(shí)，為工業(yè)設(shè)備和汽車(chē)領(lǐng)域的節(jié)能化、小型化做出貢獻(xiàn)。在本次PCIM Asia展會(huì)上，針對(duì)日益增長(zhǎng)的中國(guó)市場(chǎng)需求，羅姆將重點(diǎn)展示以下產(chǎn)品和解決方案：

碳化硅：憑借低開(kāi)關(guān)損耗、低導(dǎo)通電阻特性，為節(jié)能做貢獻(xiàn)

與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅器件由于擁有低導(dǎo)通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能，已經(jīng)成為下一代低損耗半導(dǎo)體可行的候選元器件。羅姆在碳化硅功率元器件和模塊的開(kāi)發(fā)領(lǐng)域處于先進(jìn)地位，其先進(jìn)的SiC MOSFET技術(shù)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻，充分地減少了開(kāi)關(guān)損耗，并支持15V和18V的柵極-源極電壓，有助于在包括汽車(chē)逆變器和各種開(kāi)關(guān)電源在內(nèi)的各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)顯著的小型化和低功耗。在本次展會(huì)上，羅姆將帶來(lái)面向車(chē)載應(yīng)用的第3代以及第4代SiC MOSFET系列產(chǎn)品展示。

氮化鎵相關(guān)產(chǎn)品：助力應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步節(jié)能和小型化

GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。2022年，羅姆將柵極耐壓高達(dá)8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產(chǎn)；2023年3月，又確立了能夠更大程度地發(fā)揮出GaN性能的控制IC技術(shù)。近期，為助力各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化，推出了器件性能達(dá)到業(yè)界超高水平的650V耐壓GaN HEMT。此外，還結(jié)合自身功率電子和模擬兩大核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)，又推出了EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，該產(chǎn)品集GaN HEMT和柵極驅(qū)動(dòng)器于一體，使GaN器件輕輕松松即可實(shí)現(xiàn)安裝，助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積。在本次PCIM Asia展會(huì)上，羅姆將展示氮化鎵相關(guān)的一系列重點(diǎn)產(chǎn)品。

用于電動(dòng)汽車(chē)以及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的高性能解決方案：

內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器“BM611x系列”，是3.75kV隔離、AEC-Q100認(rèn)證的柵極驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為xEV牽引逆變器應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其中，“BM6112FV-C”專(zhuān)為高功率IGBT和SiC應(yīng)用而設(shè)計(jì)，柵極驅(qū)動(dòng)電流20A。此外，AC-DC轉(zhuǎn)換器IC產(chǎn)品系列（650V、800V、1700V）為各種外接交流電源產(chǎn)品提供更佳系統(tǒng)，準(zhǔn)諧振操作可實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)，并有助于保持較低的EMI。其中，“BM2SC12xFP2-LBZ”內(nèi)置1700V SiC MOSFET，方便設(shè)計(jì)，有效降低輕負(fù)載時(shí)的電力消耗，具備各種保護(hù)功能。

一直以來(lái)，羅姆不僅在產(chǎn)品研發(fā)上投入力量，還積極與行業(yè)伙伴建立戰(zhàn)略關(guān)系，聯(lián)合推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新，旨在解決社會(huì)面臨的問(wèn)題。除了以上豐富的產(chǎn)品及解決方案展示以外，屆時(shí)還將展示眾多合作伙伴的應(yīng)用案例，不容錯(cuò)過(guò)！在現(xiàn)場(chǎng)更有來(lái)自羅姆的專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售和經(jīng)驗(yàn)豐富的技術(shù)人員助陣，互動(dòng)交流。歡迎登陸羅姆官網(wǎng)，查看更多展會(huì)詳情： https://www.rohm.com.cn/pcim

【展會(huì)信息】

時(shí) 間：2023年8月29日（周二）～31日（周四）09:30～17:00（僅31日16:00結(jié)束）

會(huì) 場(chǎng)：上海新國(guó)際博覽中心W2館

展位號(hào)：2D03

地 址：上海市浦東新區(qū)龍陽(yáng)路2345號(hào)

【羅姆演講場(chǎng)次】

論壇名稱(chēng)：第三代半導(dǎo)體論壇

地點(diǎn)：W2館二樓M9會(huì)議室

時(shí)間：8月30日（周三）10:40～11:00

主題：氮化鎵相關(guān)新產(chǎn)品及系統(tǒng)介紹

論壇名稱(chēng)： “電力電子應(yīng)用技術(shù)論壇”

地點(diǎn)：W2館G40論壇區(qū)

時(shí)間：8月30日（周三）13:00～13:20

主題：第四代SiC以及模塊設(shè)計(jì)的注意點(diǎn)