重拳出擊！限制半導(dǎo)體關(guān)鍵材料出口！

7月3日，商務(wù)部、海關(guān)總署聯(lián)合發(fā)布關(guān)于對鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制的公告。

對公告中滿足規(guī)定特性的物項(xiàng)實(shí)施管制，未經(jīng)許可，不得出口！自2023年8月1日起正式實(shí)施。其中包括：

· 鎵相關(guān)物項(xiàng)：金屬鎵（單質(zhì)）、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵等

· 鍺相關(guān)物項(xiàng)：金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅、鍺外延生長襯底、二氧化鍺、四氯化鍺等

為什么是鎵和鍺？

金屬元素自從在煉金術(shù)中被發(fā)現(xiàn)以來，鎵和鍺曾一度被認(rèn)為是“可用性不強(qiáng)”的金屬，所以并沒有被大規(guī)模開采和使用。

但時移世易，隨著半導(dǎo)體行業(yè)的出現(xiàn)和不斷發(fā)展，鎵和鍺已經(jīng)成為了半導(dǎo)體領(lǐng)域的關(guān)鍵金屬材料，并且我國的儲量、出口量要遠(yuǎn)高于其他國家和地區(qū)。

這里提到了半導(dǎo)體領(lǐng)域，在行業(yè)內(nèi)，目前已經(jīng)發(fā)展過渡了三代半導(dǎo)體材料：

第一代半導(dǎo)體材料：鍺以及硅，也是目前最大宗的半導(dǎo)體材料，成本相對便宜，制程技術(shù)也最為成熟，應(yīng)用領(lǐng)域在資訊產(chǎn)業(yè)以及微電子產(chǎn)業(yè)。

第二代半導(dǎo)體材料：砷化鎵以及磷化銦，主要應(yīng)用在通訊產(chǎn)業(yè)以及照明產(chǎn)業(yè)。

第三代半導(dǎo)體材料：是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。

鍺

而鍺，正是第一代半導(dǎo)體材料。

鍺元素是一種典型的稀有分散元素，在地殼含量大約百萬分之七。被多國列入戰(zhàn)略儲備物資的重要戰(zhàn)略資源。

目前在全球已經(jīng)探明的鍺儲量中，中國占41%，美國占45%（鉛鋅伴生礦為主），俄羅斯占10%。在全球鍺供給中，中國占比68%，居世界第一。

鎵

再來說鎵。

鎵早在第二次世界大戰(zhàn)期間就被認(rèn)為是一種戰(zhàn)略性和關(guān)鍵金屬。

目前鎵的世界總儲量約 23 萬噸，中國的鎵金屬儲量居世界第一，約占世界總儲量的 80%-85%。

日本和美國分別是世界上金屬鎵消費(fèi)市場的前兩名，歐盟的消耗量也居高不下。

由于該資源非常稀缺，這些國家紛紛對自己境內(nèi)的金屬鎵進(jìn)行保護(hù)，轉(zhuǎn)而向中國這樣的儲備大國進(jìn)口。

第三代半導(dǎo)體

氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料中的主要材料之一，也是目前世界上最先進(jìn)的半導(dǎo)體材料，在功率器件、射頻器件、光電器件領(lǐng)域應(yīng)用很廣泛。

很多國家和企業(yè)都在布局氮化鎵領(lǐng)域，今年英飛凌才剛剛以8.3億美元收購了一家氮化鎵系統(tǒng)公司。

我國目前在第三代半導(dǎo)體方面并不落后于其他國家，國內(nèi)一些TOP級別的高校也正在致力于第三代半導(dǎo)體的研究并且有很大的成果。

“無所謂，我會出手”

自從2022年芯片法案公布以來，美國的小動作就愈演愈烈。

在EDA軟件方面，在出口管制中增加“GAAFET結(jié)構(gòu)集成電路所必需的EDA軟件”。

在AI芯片領(lǐng)域，限制出口用于人工智能的計算芯片A100和H100，后來英偉達(dá)為中國推出了專供了降級版A800，但近日消息傳出降級版A800也將面臨禁售。

在光刻機(jī)方面，荷蘭發(fā)布半導(dǎo)體設(shè)備出口管制的新條例，預(yù)計9月正式施行。

……

美國在各個領(lǐng)域使出渾身解數(shù)進(jìn)行制裁和管制，確實(shí)對我國的半導(dǎo)體領(lǐng)域、尤其是芯片領(lǐng)域產(chǎn)生了巨大的壓力。但這些行為對美國來說也并不是毫無代價的。

五月初時，芯易君就寫過一篇關(guān)于“美半導(dǎo)體協(xié)會表示不能缺席中國市場”的分析文章，文中當(dāng)時就提及了中國在稀土、鎵、鍺等半導(dǎo)體關(guān)鍵原材料方面也采取了一些動作。

當(dāng)然，前期是我們給對方的小范圍警告，而現(xiàn)在，是“我的規(guī)矩就是規(guī)矩”！

公告原文如下：